在全球半导体行业面临诸多挑战的背景下，中国的西湖大学孵化企业西湖仪器（杭州）技术有限公司近日成功开发出一种具有突破性的技术，即12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术。这项创新技术的推出，旨在解决当今芯片制造业日益迫切的碳化硅衬底切片难题。碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，具备更高的熔点、电子迁移率以及热导率，因而在高温和高电压应用中表现优异，成为当前新能源和半导体产业迭代升级的关键材料。

  碳化硅衬底的生产一直以来受到尺寸与成本的限制，特别是12英寸及以上的大尺寸衬底一直难以实现大规模生产。西湖仪器的最新技术通过激光剥离，明显提升了12英寸碳化硅衬底的生产效率，同时解决了传统切割技术中的材料损耗问题。该技术的自动化进程不仅减少了生产时间，还能够大幅度降低单位芯片的制造成本，为行业降本增效提供了一条可行路径。

  根据国际权威研究机构的预测，到2027年，全球碳化硅功率器件市场的规模预计将达到67亿美元，这一领域的年复合增长率高达33.5%。在此市场背景下，西湖仪器的技术恰逢其时，提供了对超大尺寸碳化硅衬底的切实解决方案，响应了市场对高效能、超高的性价比材料的强烈需求。通过早期推出的8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备，西湖仪器已在行业内积累了一定的技术和市场优势，而此次推出的新技术无疑将进一步巩固其市场地位。

  该激光剥离技术的创新之处在于其高效能和低损耗。在传统的切割过程中，衬底材料的损耗率往往较高，还可以达到30%。而使用激光剥离技术后，材料的损耗一下子就下降，资源得到了更有效的利用。这不仅降低了生产所带来的成本，同时还提升了整体的制造效率，使得更多的企业能够参与碳化硅器件的生产，进而推动相关产业链的快速发展。

  在实际应用中，碳化硅代替传统硅材料在电动汽车、电力电子及高频通信等领域的优势愈发明显。其能够在更高工作时候的温度和更高电压条件下工作，使其成为关键的元器件材料。目前市场上已经有多款基于碳化硅技术的产品进入量产阶段，用户反馈良好，表示该技术在其产品的性能提升上起到了重要作用。

  值得注意的是，随市场对碳化硅材料需求的激增，西湖仪器的成功开发将可能对整个行业带来颠覆性的影响。首先，传统的半导体制造商可能会面临来自这一新技术的强烈竞争，尤其是在提升生产效率和减少相关成本方面。同时，这一技术的发展也将推动相关上下游企业的技术迭代，促使更多创新材料和生产的基本工艺的出现，有助于提升整个行业的技术水平。

  总结来说，西湖仪器推出的12英寸碳化硅衬底激光剥离技术，不仅是对当前芯片制造技术的一次创新突破，更是对未来半导体产业形态的重要引领。面对竞争日益激烈的市场环境，这一技术的成熟与应用将可能改变现有供应链格局，并助力中国在全球半导体产业链中的持续崛起。对于有意在高性能电子材料领域发力的企业，将这一新技术牢牢把握，无疑是它们在未来市场中获得竞争优势的关键。返回搜狐，查看更加多