8月8日上午，江苏天科合达半导体有限公司（简称“江苏天科合达”）碳化硅晶片二期扩产项目在徐州经开区开工。项目总投资8.3亿元，达产后，可完成年产碳化硅衬底16万片。

  北京天科合达是国内首家专门干第三代半导体碳化硅衬底及相关这类的产品研制、出产和出售的国家级高新技术企业，国家工业与信息化部确定的专精特新“小伟人”企业，其导电型晶片全球市场占有率排名第二、国内占有率排名榜首。

  2018年，北京天科合达打破国外独占的碳化硅晶片项目落户经开区，并成立了全资子公司江苏天科合达，为徐州打开了第三代半导体工业高质量展开的新局面。

  为进一步完善产能布局，抢占市场先机，北京天科合达决定在徐州经开区展开江苏天科合达二期扩产项目建造，总投资8.3亿元，占地70亩，建筑面积约5万平方米，置办装置单晶成长炉及配套设备算计647台（套），可完成年产碳化硅衬底16万片。

  江苏天科合达二期扩产项目投产后，北京天科合达徐州基地碳化硅晶片年产能将到达23万片、年产值10亿元以上，将进一步强大徐州碳化硅工业规划、助推徐州成为淮海经济区甚至全国的第三代半导体工业高地。