天眼查显现，广东天域半导体股份有限公司“碳化硅外延片的成长工艺”专利发布，请求发布日为2024年6月28日，请求发布号为CN118256991A。

  天眼查显现，广东天域半导体股份有限公司“碳化硅外延片的成长工艺”专利发布，请求发布日为2024年6月28日，请求发布号为CN118256991A。

  碳化硅半导体具有优秀的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱满电子漂移速度等优秀特性，是制造高温、高频、大功率和强辐射电力电子器材的抱负半导体资料。与传统的硅器材比较，碳化硅器材可以在10倍于硅器材的电场强度下正常作业。用于制造碳化硅器材的碳化硅资料通常是在碳化硅衬底上成长碳化硅外延片。

  现在的碳化硅外延片，尤其是8英尺的碳化硅衬底，其晶体缺点密度高，碳化硅衬底的长晶技能并不老练，尤其是一些TSD、BPD、SF等缺点会贯穿上来，所以要有十分高的外延成长技能将其在外延层初期按捺住。而现在外延成长技能较为单一，首要为单一外延成长技能堆积，当时比较遍及的是选用化学气相堆积(CVD)成长外延片。现有化学气相堆积(CVD)外延成长是在碳化硅衬底上成长一层SiC外延层，以高纯H2作为输运和复原气体、TCS和C2H4为成长源(即为H2+SiH4+C2H4)、N2作为N型外延层的掺杂源、Ar作为维护气体。其工艺的首要成长环境要求1500℃以上高温，反响室内气压低于1×10-6mbar，而且水平式单片成长因其均匀性问题是需求气悬浮基座旋转。于碳化硅衬底上直接选用化学气相堆积外延无法成长出高质量的、组分和杂质浓度更准确操控的单晶薄膜，而且会有剩余气体对碳化硅薄膜有污染，导致衬底贯穿上来的晶体缺点无法有用按捺，而且成长速率倾向快速，无法更精准的操控薄膜堆积。

  由上可知，现在的化学气相堆积外延层任旧存在各种缺点，其会对碳化硅器材特性构成影响，所以针对碳化硅的外延成长工艺有必要进行不断的优化。

  本发明供给了一种碳化硅外延片的成长工艺。此碳化硅外延片的成长工艺包含顺次的如下过程：（I）将碳化硅衬底进行前处理；（II）选用分子束外延设备于所述碳化硅衬底上构成榜首碳化硅缓冲层；（III）置于化学气相堆积设备的外延炉中，先于1000～1400℃下进行热处理，再升高温度进行气相堆积以于所述榜首碳化硅缓冲层上构成第二碳化硅缓冲层；（IV）于所述第二碳化硅缓冲层上外延成长出预订厚度的外延层。本发明的碳化硅外延片的成长工艺可消除反响产品污染，在衬底与外延层间做好贯穿晶体缺点的转化，可完美的阻隔外延缺点。