从一把可以随手扬起的沙子，到各行各业不可或缺的芯片，需要经历成百上千道加工程序。其中第一步，就是先把沙子变成单晶硅。

  但要真正地制造芯片，对硅原料的纯度要求就非常高了——平均100W个硅原子中最多只能有1个杂质原子。

  所以就需要对沙子进行反复多次提纯，然后在高温下通过区熔或直拉工艺，在炉膛中整形或提拉，然后得到硅单晶体棒（单晶硅棒），纯度要求达到99.9999%。

  得到单晶硅棒后，进行横向切割就能得到许多圆柱形的单晶硅片。这个硅片，就是我们常说的晶圆（W

  晶圆直径越大，制造难度越大，能够切割出来的芯片也越多。目前主流的晶圆直径是12英寸（大概30cm）。切片之后还需要经过研磨、抛光、清洗工序，让晶圆片的表面比镜面还要洁净平整，以便于后续刻制电路。

  到这一步，我们只是为建造芯片打好了“地基”，离芯片本身还差得很远，接下来才是汇集最先进的技术的加工步骤。

  这也就是为什么业内常说造芯片就像盖房子。如何把设计好的电路版图实现在晶圆片上？这其中涉及的步骤就比较多了。

  在进行光刻之前，需要在晶圆上涂抹液态光刻胶，这一步也叫匀胶。这样做可以让光刻胶变得薄且平。

  器件制造整一个完整的过程中会进行很多次光刻流程，生产复杂一些的集成电路在大多数情况下要进行多达50步光刻。

  刻蚀是通过化学反应或物理作用，把晶圆上没有被光刻胶覆盖的部分去除掉，只留下一个一个的凹槽（也就是所需要的电路结构）。

  刻蚀技术大致上可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。

  这一步就是可控数量的所需杂质掺入到晶圆的特定区域里，改变半导体的电学性能，使导电的性能增大增强，最后形成N区或P区。

  在刻蚀和离子注入完成后，光刻胶的使命就完成了，将光刻胶清除后就能够获得设计好的电路图案。到此为止，

  接下来还会进行磨平、形成电极、晶圆测试等步骤。之后，就要对晶圆进行切割，形成一颗一颗的die。04把

  这样做一方面能够防止芯片受损，起到保护芯片性能、便于运输的作用，另一方面也能够最终靠互连，把芯片组件/电路模块连接起来。

  和可靠性测试，通过测试会将不良品剔除掉，留下没有缺陷的芯片产品。至此，我们日常所必需的芯片就诞生了。审核编辑 ：李倩

  随着LTE与802.11ac逐渐进入成长期之后，其实也代表着这些新兴技术也将从

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  ，为后续工序做准备的过程。晶圆切割机首先要进行磨砂工序，去除在前端工艺中受化

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