半导体工业的柱石是芯片，制造芯片的中心资料依照历史进程分为：第一代半导体资料（大部分为现在遍及的运用的高纯度硅），第二代化合物半导体资料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体资料（碳化硅、氮化镓） 。

  碳化硅因其优胜的物理功能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被遍及的运用的制造半导体芯片的根底资料。

  到2025年，新能源轿车与充电桩范畴的碳化硅商场将到达17.78亿美元（约合人民币116.81亿元），约占碳化硅总商场规模的七成。还包括EV、快充桩、UPS电源（通讯）、光伏、轨交以及航天军工等范畴，其间电动车职业有望迎来快速迸发（CAGR81.4%），通讯、光伏等商场空间较大。随同SiC器材本钱下降，全生命周期本钱功能优势有望不断扩大，潜在代替空间巨大。

  我国碳化硅锻炼企业首要散布在甘肃、宁夏、青海、新疆、四川等地，约占总产能85%。

  现在全球SiC工业格式出现美国、欧洲、日本鼎足之势态势。其间美国全球独大，占有全球SiC产值的70%~80%，碳化硅晶圆商场CREE一家市占率高达6成之多；欧洲具有完好的SiC衬底、外延、器材以及使用工业链，在全球电力电子商场具有强壮的话语权；日本是设备和模块开发方面的肯定领先者。