碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。一般会用物理气相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中，由于衬造工艺难度大，产业链价值量主要集中于上游衬底环节。

  随着碳化硅下游市场的超预期发展，碳化硅产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。

  美国厂商占据主导地位，国内度过产业化元年。Wolfspeed的出货量占据了全球的45%。2021年是国内SiC产业化元年，2021年一季度国内新增SiC项目合计投资金额达到630亿元，超过2020年全年的水平，达到2012-2019年合计值的5倍以上。

  目前，碳化硅衬底主流尺寸为4-6 英寸，8 英寸衬底仅有Wolfspeed、II-VI公司意法半导体ST等少数几家研制 成功，其中，Wolfspeed 是首家掌握8 英寸量产技术并建设对应晶圆厂的公司。

  碳化硅精细微粉作为一种新型的多复合性功能材料，近年来被大范围的应用于高端太阳能、半导体切割研磨、LED、非金属陶瓷、高性能密封环等领域。尤其是最近几年，无论国内外媒体及产业政策导向，都极力助推了这一新兴起的产业的快速发展。光伏产业强烈的发展预期，导致碳化硅行业炙手可热，吸引了大批的企业和社会投资者纷纷涌入，克服节能减排等多方压力，各种规模的碳化硅生产企业可谓是遍地开花，乐观情绪渐盛。

  碳化硅行业要解决发展中资源、环境等方面的压力，应该着眼于技术引领行业进步。在碳化硅生产中，关注生产制造的绿色、低碳化。依靠技术升级，提高生产规模，利用规模优势降低单位能耗；注重生产的全部过程中如碳化硅回收、粉尘处理、水的循环再利用等，降低资源利用。

  碳化硅发展前途预测，就是在碳化硅市场调研获得的各种信息资料的基础上，运用科学的预测技术和方法，对影响碳化硅市场供求变化的诸因素做出详细的调查研究，分析和预见碳化硅发展的新趋势，掌握碳化硅市场供求变化的规律，为经营决策提供较为可靠的依据。

  第三代半导体是国家2030规划和“十四五”国家研发计划确定的重要发展趋势，是我国半导体产业弯道超车的机会，要重点扶持、协同攻关第三代半导体产业，可以在国内重点扶植3-5家世界级有突出贡献的公司，加大整个产业链条的合作力度。

  国内外各大半导体元器件企业纷纷加大了新产品的推广力度，第三代半导体也开始频频出现在各地园区招商引资名单中。8月18日一手消息，碳化硅龙头科锐（Cree）宣布2021年财年第四季度财务报表时透露，公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工厂，使其能够充分的利用未来几十年的增长机遇。

  新能源汽车是SiC功率器件的主要增长点，充电桩也是，以直流充电桩为例，据CASA测算，电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%，2018年整个直流充电桩SiC电力电子器件的市场规模约为1.3亿，较2017年增加了一倍多。

  SiC功率器件存在很多优势，未来发展空间也在逐渐增大，不过在发展SiC器件的过程中，还是存在不少问题，从近几年的发展来看，国内外厂商还是研究机构，都在加大投入发展更有的技术和产品，相信未来SiC器件不管在性能还是价格等多方面都会更适应市场需求。

  （SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，

  特色工艺模块简介 /

  功率器件在电动汽车、可再次生产的能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用

  是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，其能使系统效率更加高，质量更轻，结构更紧凑。如今，

  技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如

  肖特基二极管从2001年开始商用，至今已有20年商用积累，并在部分高中端电源市场批量应用，逐步向通用市场渗透，具备广阔的市场

  分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和

  肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更加高，工作速度更快

  MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小

  MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，大多数表现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下

  封装技术的突破并大规模应用，还需要开展大量的工作，以下列举一些核心挑战以及

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