金融界2024年11月13日音讯，国家知识产权局信息数据显现，江苏超芯星半导体有限公司请求一项名为“一种碳化硅出产废料制备碳化硅陶瓷的办法及碳化硅陶瓷”的专利，公开号CN 118930275 A，请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现，本发明供给了一种碳化硅出产废料制备碳化硅陶瓷的办法及碳化硅陶瓷，所描绘的办法包含：(1)对碳化硅出产废料进行前处理，得到碳化硅粉料；(2)混合苯乙烯磺酸钠、亚硫酸氢钠、丙烯酸单体、烯丙基聚醚、过硫酸盐与榜首溶剂，得到改性剂；(3)以过程(2)所得改性剂对过程(1)所得碳化硅粉料进行改性处理，得到改性碳化硅粉料，以改性碳化硅粉料制备碳化硅陶瓷。所描绘的办法使用苯乙烯磺酸钠、丙烯酸类单体与烯丙基聚醚作为质料，在过硫酸盐引发剂的效果下得到改性剂，选用改性剂对碳化硅粉料进行外表改性，减少了改性碳化硅粉料在陶瓷制备过程中的集合，得到了粘度较低且涣散杰出的陶瓷浆料，然后得到严密型较高及硬度较高的碳化硅陶瓷。