的办法得到了很大的进步，由最开端的固相法开展到了今日的液相法和气相法。一起从传统的，乃至更长，这样大大地下降了能耗，进步了产值；一起在改进环境污染、节约能源等方面也得到很大发展，可是，。其次，外表具有一层氧化膜，导致了碳化硅极端难以烧结的缺陷。针对碳化硅难以烧结的特色，碳化硅陶瓷的烧结工艺也成为了研讨的热门。

  碳化硅耐磨资料制备办法许多，常用的有：无压烧结、热压烧结、热等静压烧结、反响烧结等。

  无压烧结是美国科学家Phazka于1974年首要创造，Phazka首要运用纤细的亚微米β-Si C粉为首要根底料，然后经过增加B和C来下降碳化硅的界面晶界能和除掉外表的氧化硅来进步活性，在温度为2050℃慵懒气氛中成功制备了相对密度为95%的高密度碳化硅陶瓷。随后Gunay V和Giuseppe M以a-SiC为质料，经过增加少数B、C，选用无压烧结技能相同取得了细密的SiC陶瓷复合资料。无压烧结一般包括固相烧结和液相烧结两种。现在，无压烧结也是一种制备碳化硅制品的重要办法。固相烧结一般是经过参加C和B，B固熔到碳化硅中下降碳化硅界面的晶界能，C复原除掉碳化硅界面的SiO2，进步外表能。除此之外，还有经过参加C+BC、C+Al、C+B+Al等。液相烧结是以一元或多元低共熔氧化物为烧结助剂，在比较低的温度下，运用低共融点产生液相促进碳化硅颗粒的移动、分散和传质，以此来完成碳化硅的细密化。低温烧结有低温液相烧结和低温固相烧结，其首要区别是低温液相烧结在结构上得到了明显改进。低温液相烧结进程中因为其共同的界面结合弱化与晶界液相的产生，使资料的开裂由穿晶开裂变为沿晶开裂形式，晶粒纤细均匀且呈等轴晶状，一起资料的强度和耐性明显进步。

  一般参加的氧化物有Al2O3、Y2O3、Mg2O3、Be2O3以及简直一切的稀土氧化物。几年来在此根底上碳化硅烧结得到了长足开展。国内外许多学者对无压烧结进行研讨。陈巍、曹连忠等人经过增加2%的C和1%的B作为烧结助剂在2150℃取得较高耐磨性的碳化硅耐磨资料。中国科学院沈阳金属研讨所的王双、孙秦礼等人制备出了烧结细密度到达98.8%，抗弯强度为89Mpa、开裂耐性为6.67MPa的Al2O3/SiC纳米复相陶瓷。国外的M.Omori等人经过增加稀土氧化物和Al2O3或硼化物选用液相烧结法来制备SiC。Joe.J.Cao等选用增加A1、B、C三种元素作为增加剂，在温度为1900℃并保温4小时的条件下，取得了密度为3.18g/㎝3的碳化硅陶瓷。A.Mulla等人经过增加Al2O3和Y2O3为烧结助剂，在1850-1950℃温度下烧结，取得了相对密度到达理论密度95%而且晶粒纤细的烧结β-SiC（颗粒外表含有少数SiO2）。

  热压烧结办法是指在加压和加热条件下促进碳化硅烧结，一般压力在20-50MPa，因为选用必定的压力，利于增大碳化硅粒子间的触摸面积，然后促进碳化硅烧结。热压烧结进程，还引进B、C、B4C、AI、Y2O3、A12O3等烧结助剂，进步碳化硅烧结动力，促进其细密化。烧结机理是在原有的碳化硅根底之上经过增加B、Al或B4C，作用是固熔到碳化硅中下降碳化硅界面的晶界能。参加碳的意图是为了复原出去颗粒外表的氧化硅薄膜，促进别的两种物质的分散。引进Y2O3和A12O3的意图首要是在高温进程中两种物质熔融构成液相，经过液相促进烧结。出产中热压烧结也被大规模的运用，可是其共同的工业特色约束了热压烧结只能制备形状简略的小零部件，又因为本钱比较高，功率低出产中也受到了某些特定的程度的约束。国外的Lange等人以Al2O3作烧结助剂，Sakai和Aikawa等人以Al2O3和C作烧结助剂，经过热压烧结都制得了功能优异的高强度、高硬度碳化硅耐磨资料。

  国内的上海硅酸盐研讨所的江东亮等人以B4C和C为烧结助剂经过热压烧结工艺在2050℃下取得了强度可高达500MP、密度可到达3.56g/cm3的SiC烧结体。

  热等静压烧结是指以热等静压反响容器为首要反响设备，经过操控温度（大约1000～2000℃）和操控容器压力（以慵懒气体等气体为传压介质，大约为200MPa），在适宜的温度和压力条件下进行烧结。因为热等静压烧结工艺是在一个比较均匀的环境中进行的，所以得到的碳化硅陶瓷结构均匀，功能优异。可是其首要缺陷是出产所带来的本钱高，温度和压力对其功能影响较大，不能用来制作形状杂乱的产品，适宜运用的规模受到了约束。国外的Dutta等以B和C为烧结助剂，选用热等静压烧结工艺，在温度为1900℃，在适宜的时刻和压力下取得了挨近理论密度（98%），抗弯强度高到达600MPa的SiC耐磨资料烧结体。Dutta又经过进一步的研讨，操控温度和压力，经过热等静压烧结在温度为2000℃，压力为138Mpa成功制备了无烧结助剂的碳化硅耐磨资料。Kofune等经过一系列的热等静压烧结SiC试验，以为当粉末粒径小于0.6μm时，不必增加任何烧结助剂，在1950℃的烧结温度也能够制备出细密的碳化硅。Larker等经过运用比外表积为24 m2/g超纤细粉碳化硅为质料，选用热等静压烧结，在1850℃时，在适宜的压力条件下取得了功能优异的高密度碳化硅烧结体。

  除了以上的几种烧结办法，还有反响烧结法，是经过先制成含碳化硅或不含碳化硅的素坯，并经过后期熔渗的办法，在高于1500℃左右经过熔渗气相硅或金属硅，与碳产生反响，新生成的碳化硅又结合本来的碳化硅来构成接连的碳化硅细密烧结体。在八十年代国外也有人运用微波烧结法在较低的温度下取得了碳化硅陶瓷，可是这一反响机理还有待研讨。