新能源轿车与电网范畴为两大中心使用场景，碳化硅器材可提高电能转化功率并下降能耗，估计在新能源车电驱体系、光伏逆变器中首先完成规模化代替。

  碳化硅晶圆制作技能聚集于下降缺点密度（如微管缺点≤1 cm⁻²），并提高8英寸晶圆良率至80%以上。

  氮化硅基板导热率（≥80 W/m·K）与抗弯强度（≥800 MPa）明显优于传统氧化铝基板，适配碳化硅功率器材的高温、高频工作环境。

  国内企业正打破氮化硅粉体组成与精细加工技能，方针完成基板翘曲度≤10 μm的产业化规范。

  山西平鲁项目方案配套建造碳化硅粉体组成产线，选用改进Lely法提高粉体纯度至6N级（99.9999%）。

  山东氮化硅基板项目联合高校研制反响烧结工艺，缩短烧结周期至48小时以内，下降出产所带来的本钱约30%。

  ‌山西‌：依托平鲁经济技能开发区，打造“碳化硅衬底-外延-器材”笔直整合基地，规划产能掩盖50万片/年6英寸碳化硅晶圆。

  ‌山东‌：以氮化硅基板为中心，构成“陶瓷粉体-基板-功率模块”全链条布局，服务省内新能源轿车与光伏企业需求。

  ‌黑龙江‌：牡丹江碳化硅项目要点开发导电型衬底资料，匹配电动轿车充电桩与储能体系的高压需求。

  第三代半导体被归入“十四五”新资料专项规划，方针2025年碳化硅器材国产化率提高至50%以上，氮化硅基板自给率超70%。

  新能源轿车范畴：碳化硅电驱体系可提高续航路程10%-15%，带动车规级碳化硅模块需求年均增加60%。

  工业范畴：氮化硅基板在风电变流器、轨道交通牵引体系中浸透率快速提高，估计2025年全球市场规模打破80亿元。

  以上信息归纳技能发展、产业链协同及方针导向，出现第三代半导体项目在资料、设备与终端使用中的中心布局

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