在全球半导体产业高质量发展的大背景下，中国的碳化硅技术正迎来一个新的发展纪元。2025年3月26日，在上海举行的SEMICONChina2025大会上，山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）正式对外发布了全新的12英寸高纯半绝缘、p型碳化硅衬底。这一技术突破不仅是天岳先进的重大成果，更为中国半导体工业的腾飞奠定了基础。

  近年来，随着电动汽车、可再次生产的能源和高效电力电子设备的加快速度进行发展，对高性能半导体材料的需求与日俱增。而碳化硅作为一种优越的宽禁带半导体，以其高耐压、高耐温以及高效率等特性，成为这一领域的核心材料。天岳先进此次推出的12英寸碳化硅衬底，直径达30厘米，相较于传统的8英寸衬底（20厘米）而言，不仅提升了产出效率，还在减少相关成本方面表现出色，具有更强的市场竞争力。

  碳化硅的合成是一个极具挑战性的过程。根据天岳先进董事长宗艳民的介绍，生产12英寸碳化硅衬底需要在超过2000℃的高温下进行分解，并在温度梯度精确控制下，将其“长”在籽晶上。这一过程考验的不仅是设备的性能，更是技术人员的智慧与耐心。

  通过数千次的实验，天岳先进终于实现了12英寸碳化硅衬底的成功合成，这一技术标志着中国在全球碳化硅领域的前所未有的创新能力与成果。正如宗艳民所说：“12英寸衬底的发布，标志着碳化硅技术在晶圆尺寸上的新高度，预示着行业即将进入一个全新发展阶段。”

  在新能源汽车加快速度进行发展的今天，碳化硅的应用显得很重要。一片6英寸的碳化硅衬底，制造出的芯片足以“武装”两辆电动汽车。这种芯片不仅提高了电动汽车的续航能力，还大幅度缩短了充电时间。据相关数据表明，利用碳化硅技术的充电桩，充电时间可从数小时缩短至几分钟。这在某种程度上预示着，未来的电动汽车将更方便快捷，使用体验也将显著提升。

  此外，碳化硅在可再次生产的能源发电设备中的应用同样具备极其重大意义。无论是风能、太阳能，碳化硅衬底的逆变器都能比传统硅基芯片多提高约三倍的功率密度，并且体积能减小40%-60%，损耗降低超过50%。更为关键的是，一颗碳化硅芯片在其整个使用的过程中能够减排高达1吨的二氧化碳，为全球气候平均状态随时间的变化的可持续发展做出贡献。

  天岳先进在全国乃至全球碳化硅市场中的迅速崛起，得益于其持续不断的技术创新和市场开拓。目前，天岳先进的8英寸碳化硅衬底已经成功在市场上占有一席之地，其质量水平领先国际，微管缺陷稳定为0，位错缺陷控制在每平方厘米几个到几十个，这一表现远超行业平均水平。

  根据国际权威媒体的最新报告，2024年，天岳先进在全球碳化硅衬底市场的占有率高达22.8%，位于国际第一梯队。这一成绩，不仅展现了公司强大的销售能力，也表明其在全球半导体领域的重要地位。

  碳化硅衬底的自主供应，将对中国半导体产业产生深远的影响。未来，随着12英寸产品的推向市场，天岳先进将进一步巩固其市场领导地位，为下游新能源及人工智能等领域提供更为可靠的材料供应。

  宗艳民表示，天岳先进的目标是尽快将碳化硅衬底做到全球第一，成为全世界供应链的重要一环。他自豪地说：“我们的产品不仅供应国内厂商，还销往国际有名的公司，如德国博世、英飞凌等。”

  山东天岳先进科技有限公司的崛起，正是中国品牌不断崛起、在全球市场展现竞争力的缩影。在碳化硅技术的引领下，中国的半导体产业有望进入一个全新的发展阶段。未来，作为消费者的我们，无疑会享受到更高效、更环保的产品。当然，随之而来的，如何逐步推动产业的自主创新、实现技术的国产化和产业的可持续发展，仍是我们应该深思的问题。返回搜狐，查看更加多