科技日報北京3月27日電 （記者劉園園）記者27日從西湖大學獲悉，由該校孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司（以下簡稱“西湖儀器”）成功開發出12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離技術，解決了12英寸及以上超大尺度碳化硅襯底切片難題。

  與傳統的硅资料比较，碳化硅具有更寬的禁帶能隙以及更高的熔點、電子遷移率和熱導率，可在高溫、高電壓條件下穩定作业，已成為新动力和半導體產業迭代升級的關鍵资料。

  “现在，碳化硅襯底资料本钱居高不下，嚴重阻礙了碳化硅器材的大規模應用。”西湖大學工學院講席教授仇旻介紹，碳化硅行業降本增效的重要途徑之一，是制作更大尺度的碳化硅襯底资料。與6英寸和8英寸襯底比较，12英寸碳化硅襯底资料擴大了單片晶圓上可用於芯片制作的面積，在平等生產條件下，可顯著提高芯片產量，同時下降單位芯片制作本钱。

  據國際權威研讨機構預測，到2027年，全球碳化硅功率器材市場規模將達67億美元，年復合增長率達33.5%。去年底，國內企業披露了最新一代12英寸碳化硅襯底。12英寸及以上超大尺度碳化硅襯底切片需求隨之出現。

  此前，西湖儀器已首先推出8英寸導電型碳化硅襯底激光剝離設備。為響應最新市場需求，西湖儀器敏捷推出超大尺度碳化硅襯底激光剝離技術，將超快激光加工技術應用於碳化硅襯底加工行業，完成了相關設備和集成系統的開發。

  “該技術實現了碳化硅晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動化。”仇旻介紹，與傳統切开技術比较，激光剝離過程無资料損耗，质料損耗大幅下降。

  仇旻說，新技術可大幅縮短襯底出片時間，適用於未來超大尺度碳化硅襯底的規模化量產，進一步促進行業降本增效。

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