与传统的硅资料比较，碳化硅具有更宽的禁带能隙以及更高的熔点、电子迁移率和热导率，可在高温、高电压条件下安稳作业，已成为新能源与半导体工业迭代晋级的要害资料。

  “现在，碳化硅衬底资料本钱居高不下，严峻阻止了碳化硅器材的大规模使用。”西湖大学工学院讲席教授仇旻介绍，碳化硅职业降本增效的重要办法之一，是制作更大尺度的碳化硅衬底资料。与6英寸和8英寸衬底比较，12英寸碳化硅衬底资料扩展了单片晶圆上可用于芯片制作的面积，在平等出产条件下，可显着提高芯片产值，一起下降单位芯片制作本钱。

  据世界威望研究机构猜测，到2027年，全球碳化硅功率器材市场规模将达67亿美元，年复合增长率达33.5%。去年底，国内企业披露了最新一代12英寸碳化硅衬底。12英寸及以上超大尺度碳化硅衬底切片需求随之呈现。

  此前，西湖仪器已首先推出8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备。为呼应最新市场需求，西湖仪器敏捷推出超大尺度碳化硅衬底激光剥离技能，将超快激光加工技能使用于碳化硅衬底加工职业，完成了相关设备和集成体系的开发。

  “该技能完成了碳化硅晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等进程的自动化。”仇旻介绍，与传统切开技能比较，激光剥离进程无资料损耗，质料损耗大幅下降。

  违法和不良信息告发电话： 告发邮箱：报受理和处置管理办法总机：86-10-87826688