2024年2月3日，我国在距地球450公里的太空完结新一代碳化硅（SiC）功率器材在轨验证。美国媒体慨叹，当我国开端从太空“爬升”科技制高点时，华盛顿苦心经营的围堵铁幕已千疮百孔。

  碳化硅资料之所以具有如此巨大的战略价值，源于其杰出的物理特性。3.26eV的禁带宽度是硅基资料的3倍，击穿电场强度超硅基10倍，热导率达4.9W/cmK 。

  在太空极点环境下，碳化硅展现出超强的抗辐射才能、高温安稳性和高频呼应特性，成为新一代高功率电子系统的“终极资料”。此次我国验证的400V高压碳化硅器材，在50天的强辐射、高真空、极点温差检测下仍坚持参数安稳，意味着其具有在核爆电磁脉冲、深空辐射带等“逝世禁区”继续作业的才能，这无疑击中了现代战争系统中最软弱的“电子神经”。

  在军事使用范畴，碳化硅技能的优势非常明显。选用碳化硅衬底的GaN射频器材，可使雷达功率密度提高5倍以上，合作高频特性，新一代相控阵雷达勘探间隔有望打破2000公里，且能在强电磁搅扰中确定F-35隐身战机。碳化硅功率模块还可使舰载激光兵器供电系统体积减缩60%，为百千瓦级战略激光兵器实战化铺平道路。

  传统硅基器材在核爆发生的γ射线和中子流中敏捷失效，而碳化硅器材在等效1000万拉德辐射剂量下仍能坚持90%以上功能，这让我国洲际导弹导航系统、战略预警卫星、地下指挥所电子设备具有“核战生存才能”，完全改写核威慑博弈的底层逻辑。

  碳化硅的热导率特性使其成为百千瓦级激光兵器散热系统的中心资料，其轻质高强特性催生新一代复合装甲，实验室多个方面数据显现，碳化硅陶瓷复合装甲抗穿甲弹才能是传统钢装甲的3倍，分量却仅为1/4。这些技能一旦量产，美军引以为傲的“穿透性制空”战略将面临系统性反制。

  面临我国在碳化硅范畴的加快速度进行开展，美国曾企图经过技能封闭加以遏止。美国商务部将碳化硅衬底列入《商业控制清单》，约束6英寸以上碳化硅晶圆出口。但是，我国工程团队凭仗自主立异，在8英寸碳化硅衬备上获得打破，良品率从2021年的30%跃升至2023年的65%。正如麻省理工学院《技能谈论》所言，当我国开端出口碳化硅晶圆时，美国的技能禁运将变成自我封闭。碳化硅器材在军事装备中的使用，能使战斗机电源系统减重40%、舰船归纳电力系统功率提高30%。据洛马公司评价，若我国在2030年前完结70%军用电源系统的碳化硅代替，美军现有电子对抗系统限制功率将下降58%。更让美国焦虑的是，我国已建成从衬备、外延生长到器材封装的完好产业链，而美国碳化硅产能43%依靠日本供货商。

  碳化硅之争，本质上是全球化年代技能权利搬运的缩影。我国在资料、工艺、使用场景三个维度同步打破，使美国惯用的“小院高墙”战略遭受根本性应战。兰德陈述正告，在碳化硅范畴，我国专利申请量以年均29%的速度增加，而美国仅为7%。若不能重构产学研协同机制，美国或将在未来十年失掉高端功率电子范畴的主导权。

  我国碳化硅技能的打破，是自主立异的成功。它打破了美国的技能封闭，重塑全球半导体竞赛格式，也为我国在军事、航天等范畴的开展供给了强壮的技能支撑。