5月29日，科友半导体碳化硅晶体成长车间传来喜讯，自主研发的电阻长晶炉再次完成打破，成功制备出多颗中心厚度超越80mm，薄点厚度超越60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。

  科友半导体表明，这也是国内初次报导和展现厚度超越60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是现在业界干流晶体厚度的3倍，单片本钱较本来下降70%，有用进步企业盈余才干。此批次晶体呈现出微凸的描摹，外表非常润滑无显着缺点。

  据了解，物理气相传输（PVT）法成长碳化硅单晶具有质量可控、工艺老练的优势，但晶体厚度一直是首要约束，而溶液法在进步晶体厚度方面体现杰出，可是现在仍尚未能完成真实的产业化出产。

  科友半导体依据自研电阻炉，经过学习溶液法的部分理念，破除了溶液法才干成长高厚度晶体的约束，充沛的利用了PVT法单晶安稳成长的优势，将两种制备办法的优势成功结合到一同。

  材料显现，科友半导体成立于2018年5月，是一家专心于第三代半导体配备研发、衬作、器材规划、科研成果转化的国家级高新技能企业，研发掩盖半导体配备研发、长晶工艺、衬底加工等多个范畴，构成自主知识产权，已累计授权专利80余项，完成先进的技能自主可控。

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