碳化硅是典型的第三代半导体资料，使用广泛，近年来开展敏捷。中国电科工业根底研讨院（13所）自2004年开端对碳化硅资料、器材进行工艺研讨，与世界领先水平同步。通过多年的建造和开展，2017年，4英寸碳化硅电力电子工艺线正式完成批产供货；为进一步扩大产能、对标世界先进，2019年，工业根底研讨院（13所）选用改扩建方法完成了碳化硅电力电子6英寸工艺线英寸碳化硅电力电子工艺线已安稳出产供货。期间通过一直在优化产品性能目标，工业根底研讨院（13所）技能团队又根据6英寸工艺线完成了第三代薄片工艺碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET产品研讨开发，产品目标均可对标世界一线品牌。

  近年来，电动汽车商场敏捷添加，其间高压碳化MOSFET作为电动汽车主逆变器和车载充电器的中心元器材，商场需求量巨大。尤其是用于主逆变器的1200V/100A高压、大电流碳化硅MOSFET芯片，代表了当时碳化硅电力电子芯片技能的顶配水平，全世界内具有批量供货才能的厂家寥寥无几。

  工业根底研讨院（13所）通过多年的技能堆集和艰苦攻关，打破多项关键技能，完成了车规级1200V/100A碳化硅MOSFET芯片产品批量出产，完成了多款产品的系列化，产品的质量得到了国内多家车企的认可。

  2022年，工业根底研讨院（13所）大力推动碳化硅在电力电子范畴运用开展，全面敞开“碳化硅年”，并深化布局，环绕“技能打破”和“商场拓宽”两个要点，以现有的6英寸碳化硅工艺线为硬件根底，一起布局工业化公司开展。上半年，工业根底研讨院（13所）中选河北省半导体工业联盟理事长单位、河北省第三代半导体工业立异联合体理事长单位，将牵头打造河北省SiC工业链。