近来，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进资料与结构剖析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司协作，成功研发出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。

  据悉，碳化硅归于第三代半导体资料，是制作高亮度LED、电力电子功率器材以及射频微波器材的抱负衬底。

  下图 中国科学院物理研究所陈小龙研究员在一幅演示碳化硅物理原理的图表前展现6英寸碳化硅单晶衬底（12月17日摄）。新华社记者 金立旺摄