碳化硅（Sic）功率器材的耐高压、耐高温、低损耗、体积小等功能优势可满意新动力职业的开展需求，直击电动车的“路程焦虑”与“充电焦虑”两大痛点，也被誉为代替IGBT的最佳人选。

  日前，意法半导体我国宣告，正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶体管，推进在电动轿车动力体系功率设备的前沿使用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景使用。

  跟着电动轿车市场加速开展，许多整车厂商和配套供货商都在选用 800V驱动体系，以加速充电速度，协助减轻电动轿车分量，新的800V体系能够协助整车制造商出产行进路程更长的轿车。

  意法半导体的新一代SiC器材专门为这些高端轿车使用进行了规划优化，包含电动轿车动力电机逆变器、车载充电机、DC/DC变换器和电子空调压缩机。

  官方表明，新一代产品还合适工业使用，可进步驱动电机、可再次出产的动力转换器和储能体系、电信电源、数据中心电源等使用的能效。

  意法半导体现在已完结第三代SiC技能渠道有关规范认证，从该技能渠道衍生的大部分产品估计在2021年末前到达商用成熟度。标称电压650V、750V至1200V的器材将上市，为规划人员研制从市电取电，到电动轿车高压电池和充电机供电的各种使用供给更多挑选。第一批上市产品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片方式的SCT160N75G3D8AG。