和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原资料制作成各种几许尺度的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将

  种宽禁带半导体资料，具有高热导率、高击穿场强、高饱满电子漂移速率和高键合能等长处。因为这些优异的功能，

  特征工艺模块简介 /

  种优秀的宽禁带半导体资料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特色，因此在高温、高频、大功率使用领域具有十分显着优势。

  的5大优势 /

  是由碳和硅元素组成的化合物，具有多种晶体结构，包含六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有较高的熔点、硬度、热导率和

  种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您能够将SiC与氮或磷掺杂以构成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以构成p型半导体。尽管

  器材介绍与仿真 /

  中游器材制作环节，不少功率器材制作厂商在硅基制作流程根底上进行产线晋级便可满意

  资料的特别性质决议其器材制作中某些工艺需求依托特定设备做特别开发，以促进

  有哪些优劣势？ /

  由硅和碳构成的合成物。尽管在自然界中以碳硅石矿藏的方式存在，但其呈现相对稀有。但是，自从1893年以来，粉状

  (SiC)的前史与使用 /

  具有耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优秀电气特性，打破硅基半导体资料物理约束，是第三代半导体中心资料。

  种由纯硅和纯碳组成的半导体根底资料。您能够将SiC与氮或磷掺杂以构成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以构成p型半导体。尽管

  MYlinkInteraction UITextView链接交互动作的代替计划

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