记者从我国科学院高能物理研究所得悉，近来，我国散裂中子源（CSNS）勘探器团队使用自主研发的磁控溅射大面积镀硼专用设备，成功制备出满意中子勘探器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品，完成了中子勘探器关键技能和器材的国产化。

　　高性能大面积碳化硼薄膜单片面积到达1500mm×500mm，薄膜厚度1微米，全尺度规模内厚度均匀性优于±1.32%，是现在国际上用于中子勘探的最大面积的碳化硼薄膜。

　　跟着我国散裂中子源（CSNS）二期工程行将发动，拟建的中子谱仪对大面积、高效率、方位活络的新式中子勘探器需求急迫。怎么制备出高性能中子转化碳化硼薄膜是其中最中心的技能，现在也只要美国、欧洲等少量几个发达国家把握了该项技能。

　　2016年在核勘探与核电子学国家要点实验室的支撑下，CSNS勘探器团队与同济大学朱京涛教授协作，开端研发一台磁控溅射大面积镀硼专用设备，镀膜厚度规模为0.01~5微米，一起支撑单、双面镀膜，支撑射频和直流镀膜。2021年6月，该设备通过了要点实验室检验并投入使用。

　　通过多年的技能攻关和工艺试制，团队霸占了溅射靶材制造、过渡层挑选、基材外表处理等对镀膜质量影响大的关键技能，使用该设备制备了多种标准的碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子勘探器，完成了中子勘探器关键技能和器材的国产化，为接下来研发更大面积的高性能新式中子勘探器供给了强有力的技能支撑。

　　记者从我国科学院高能物理研究所得悉，近来，我国散裂中子源（CSNS）勘探器团队使用自主研发的磁控溅射大面积镀硼专用设备，成功制备出满意中子勘探器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品，完成了中子勘探器关键技能和器材的国产化。