安森美（onsemi）宣告，其坐落韩国富川的先进碳化硅（SiC）超大型制作工厂扩建项目已完结。该晶圆厂每年将能出产超越一百万片。而为了支撑SiC产能提高，安森美方案未来三年内招聘多达1,000名当地职工，以添补大部分高技术职位。相较于现在约有2,300名职工的规划，这将添加40%以上的人数。

  碳化硅元件是电动汽车、动力基础设施和大功率电动汽车充电桩中重要的功率转化部件。商场对这一些产品的需求迅速增长，推动了碳化硅晶片的需求量大幅添加。

  富川晶圆厂的扩建满意了商场对增产的急迫需求，让安森美能够继续向客户供给供给保证，并加强其在才智电源办理范畴的领头羊。富川SiC晶圆厂在全面整合的SiC供给链中起到了至关重要的效果，而且完成了继续的成功。这使得安森美得认为全球电气化的加快开展供给支援。

  芯片作为新一代功率半导体器材的中心资料，正逐渐成为商场的新宠。近来，半导体制作范畴的佼佼者Wolfspeed公司宣告，其

  来历：半导体芯科技编译   近来，Wolfspeed 宣告其最大、最先进的 John Palmour

  和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原资料制作成各种几许尺度的压敏电阻，然后

  特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他规范

  （SiC）是一种宽禁带半导体资料，具有高热导率、高击穿场强、高饱满电子漂移速率和高键合能等长处。因为这些优异的功能，

  特征工艺模块简介 /

  （SiC）是一种优秀的宽禁带半导体资料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特色，因而

  (SiC) 是一种大范围的应用于温度传感器中的资料。因为其超卓的耐高温和抗腐蚀才能，

  ，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您能够将SiC与氮或磷掺杂以构成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以构成p型半导体。尽管

  器材介绍与仿真 /

  资料的特别性质决议其器材制作中某些工艺需求依托特定设备做特别开发，以促进

  有哪些优劣势？ /

  都是半导体器材，它们之间的差异大多数表现在以下几个方面。 一、资料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘

  具有耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优秀电气特性，打破硅基半导体资料物理约束，是第三代半导体中心资料。

  Power Master 半导体推出第二代 1200V eSiC MOSFET