碳化硅（SiC）是一种运用非常遍及的人工资料，因具有高硬度、耐高温、耐磨、耐热震、耐腐蚀、杰出导电性、导热性和吸收电磁波等特别功用，除用作磨料外，在冶金、化工、陶瓷、航空航天等各

  在新能源轿车中，功率器材是电驱动体系的首要组成部分，对其功率、功率密度和可靠性起着主导作用。现在，新能源轿车电驱动部分首要就硅基功率器材组成。跟着电动轿车的开展，对电驱动的小型化和轻量化提出了更高的要求。

  功率器材产品中，MOSFETIGBT轿车电子的中心。MOSFET产品是功率器材商场运用最多的产品，占功率半导体分立器材商场的35．4％；IGBT是功率器材中增加最为敏捷的产品，占总商场的25％，其作为新能源轿车必不可少的半导体器材，下流需求适当微弱。

  比较于传统燃油车，新能源轿车功率器材运用量更大。据剖析，在传统内燃机车上，功率半导体装机价值为71美元，占有车用半导体总价值的21％；而关于混合动力车，则在传统内燃轿车基础上新增的功率半导体价值为354美元，占有新增总价值的76％；在纯电动车上，功率半导体价值为387美元，占有车用半导体总价值的55％。

  新能源轿车的销量敏捷增加，下流商场需求可观。在2007年，国内新能源轿车的总出产量为2179辆，而在2017年，国内出产量已到达了819991辆，年复合增加率到达了惊人的93％，且同比增加均安稳在50％以上。而新能源轿车销量则从2011年的15736辆增加到了2018年的6185699万辆，增加了392倍。

  充电桩是新能源轿车必不可少的配套设备，充电桩用功率器材首要是MOSFET芯片和IGBT芯片。据悉，到2020年国内充换电站数量将到达1．2万个，充电桩到达450万个。

  火爆的商场需求驱动着SiC晶圆厂商纷繁加码。2019年年头，科锐（Cree）剥离照明事务，专心于化合物半导体射频和功率运用商场，以满意和新能源轿车的商场需求，同年宣告斥资10亿美元，扩展碳化硅产能。 近年来，日本昭和电工已三度进行了碳化硅晶圆的扩产，罗姆也宣告在2026年3月曾经出资600亿日圆（约5．6亿美元），让SiC功率半导体产能进步16倍。德国X－Fab、台湾举世晶、嘉晶、汉磊也都斥资新建碳化硅出产线。

  为了强化要害半导体资料的克己率，2019年ST完结了对瑞典SiC晶圆制造商Nol的全体收买，SK Siltron也宣告，以4．5亿美元收买美国杜邦的碳化硅晶圆事务。

  值得一提的是，因为SiC的技能、资金门槛都很高，且现在单晶成长缓慢、质量不行安稳，导致出产出的SiC晶圆良率不高、本钱相对高，新入局的SiC晶圆厂商遍及处于亏本状况。

  美国、日本、欧洲在SiC范畴起步早，6英寸碳化硅衬底现已量产，8英寸已研制成功，仅Cree一家便占有了SiC衬底商场约40％比例。

  据业内人士表明，国内SiC衬底厂商首要天科合达、河北同光、山东天岳、中科节能等，产品以4英寸为主，6英寸尚处在攻关阶段，质量相对单薄。在外延方面，国内厂商首要有东莞天域、瀚天天成等，部分公司已能供给4、6英寸碳化硅外延片，针对1700V及以下的器材用的外延片已很老练，但关于高质量厚外延的量产技能首要仍是国外的Cree、昭和电工等少量企业具有。

  IGBT是新能源轿车电机操控办理体系和充电桩的中心器材，新能源轿车商场的增加必将带动功率半导体的开展。我国虽是全球最大的半导体消费国，半导体商场需求占全球商场约40％，但各类半导体器材和芯片的国产率却很低。

  大陆地区功率半导体企业的产品大多散布在在中低端范畴，各类功率半导体器材和功率IC的国产化率缺乏50％，进口可代替空间巨大。现在国内在干流的第三代半导体资料为碳化硅与氮化硅范畴活跃布局，前者多用于高压场合如智能电网、轨道交通等；后者则在高频范畴如5G通讯范畴有更大的运用。

  在碳化硅方面，国内公司已逐步形成完好产业链，能够出产新一代的碳化硅功率半导体；在氮化镓资料方面，世界商场也处于起步研讨阶段，商场格式尚不明亮，但国内许多高等院校、研讨机构、公司厂商现已进行了很多研讨，具有许多的专利技能。

  依据有关数据，截止2018年末，全球氮化镓专利具有数量最多的是科瑞、东芝这些世界厂商，但中国企业也已占有一席之地。

  测验试验室 /

  商场将迎来愈加昌盛和可继续的开展。 今日先写到这儿... 接上七篇： 【

  怎么助力绿色出行？ /

  迎来功用革新！ /

  原理和功用介绍 /

  密度 /

  ，在世界上已得到了极为广泛的运用，首要是作为开关和放大器来运用。它出现在社会生活中的每个方面，如医疗、教育、

  结构及作业原理 /

  的差异在于，其在规划的时分，需求多一块区域，来承当外加的电压，如图5所示，300V

  的差异 /

  的分类及比照剖析 /

  的运用 /

  ） /

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