北京北方华创微电子配备公司研制的碳化硅晶体成长设备，经过改进加热办法，处理坩埚内粉体温度不均问题，适用于第三代半导体资料出产，特别在电动汽车、轨道交通和电机驱动范畴使用广泛。

  天眼查显现，北京北方华创微电子配备有限公司“碳化硅晶体成长设备”专利发布，请求日期为2023年2月8日，揭露日为2024年8月9日，请求发布号为CN118461121A。

  碳化硅单晶资料遍及选用物理气相传输(Physical Vapor Transport，PVT)法成长，在PVT法中，选用碳化硅粉料作为成长单晶的质料，将碳化硅籽晶粘接在石墨坩埚顶部(石墨盖)作为籽晶，经过电磁感应线圈加热石墨坩埚，石墨坩埚经过热传导将碳化硅质料加热至提高，气相碳化硅在轴向温度梯度效果下输送到籽晶方位开端成长，在特定温度下可成长单晶碳化硅。

  碳化硅晶体成长中，坩埚是首要的发热源，粉料经过吸收坩埚壁的热量完成提高。因为热量经过粉料间热传导的办法从石墨壁向粉猜中心传递，这导致粉猜中心的温度一直低于边际温度。

  本发明供给了一种碳化硅晶体成长设备，触及碳化硅单晶资料的制作技术范畴，为处理坩埚内的粉体温度均匀性差的问题而规划。碳化硅晶体成长设备包括坩埚、感应线圈组件和盖设于坩埚上方的盖板，盖板用于在盖板的中心设置籽晶，坩埚内设置有至少一个的感应加热件；感应加热件具有关闭接连的外周面，且可以在感应线圈组件的效果下发生感应涡电流。本发明供给的碳化硅晶体成长设备能改进坩埚内的粉体温度均匀性。

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