第三代半导体材料最重要的包含碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石，目前已实现商业化应用的主要为碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)两类，具体用途如下：

  碳化硅(英语：silicon carbide)，化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。

  被誉为功率半导体皇冠上的明珠，因其优异的材料特性，能够完全满足功率电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，是半导体材料领域最有前景的材料之一。

  其中，关于Sic单晶体制造，现在多数SiC单晶是在以Lely法为基础的方法上获得的，其基本过程是在石墨坩塌中心内放置多孔石墨环，在两者间隙中放入Sic粉料。加热时埔锅外层温度高，中心温度低，夹层中的碳化硅升华分解，集散到低温的堆据中心，凝结称为碳化硅单晶体。

  关于Si衬底的外延方法，即使用化学气相沉积，获得SiC单晶体沉底或掺杂后的半导体结构。

  从产业链主要参与企业来看，从事碳化硅衬底片的国内厂商主要有天岳先进、三安光电、天科合达、河北网光等;从事碳化硅外延生长的厂商主要有瀚天天成和普兴电子等;从事碳化硅功率器件的厂商较多，包括派恩杰、基本半导体、长飞先进、三安光电、长电科技等。

  通常情况下，晶圆尺寸越大，其单片面积就越大、边缘浪费更小，单位时间内产出的衬底、外延更多，芯片的产能也就越大、单颗芯片成本也越低。目前，国内SiC市场仍以6英寸为主，但往8英寸升级慢慢的变成了共识，2022年，国内多家企业宣布在8英寸上取得突破：

  在电动汽车等应用拉动下，国内SiC产能快速地增长。2022年，SiC衬底产能达到94万片/年(折合6英寸)，相较于2021年增加30.6%;外延产能达到84万片/年(折合6英寸)，相较于2021年增加58.5%;芯片/器件产能达到96万片/年，相较于2021年增加62.7%。结合部分企业2023年年报情况，初步统计2023年SiC衬底、外延和芯片/器件产能分别为113万片/年、118万片/年和144万片/年。

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