半导体工业网讯：2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，第一批沟槽型MOSFET器材晶圆下线。实验室已具有碳化硅外延、工艺流程、测验等全流程技能服务才能。

  实验室工艺中心团队在充沛调研及很多验证测验的基础上，充沛整理要害工艺及工艺危险点，缜密拟定开发计划，在4个月内接连霸占碳化硅（SiC）器材刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项要害工艺问题。开发了低外表粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，完结了低沟槽外表粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺，拟定并施行了低阻n型和p型欧姆触摸的合金化技能计划，体系性地处理了一向困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器材的多项工艺难题。

  碳化硅（SiC）沟槽结构因其共同的优势被认为是碳化硅MOSFET器材未来的干流规划，世界抢先企业已树立先进的沟槽结构的技能抢先，国内处于追逐阶段。九峰山实验室面向前沿技能进行打破，要点聚集先进沟槽工艺的研讨，完结自主IP布局，并会集资源开发了碳化硅沟槽器材制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等要害中心单点工艺，形成了自主IP的成套工艺技能才能。

  未来，九峰山实验室将持续以基础性、前瞻性、特征性的原创效果和优质资源支撑工业界处理要害工艺难题，为合作伙伴供给中立、敞开的立异工艺研制渠道，加快技能立异。