介绍，在大尺度碳化硅衬底方面，湖南三安8英寸碳化硅衬底已完结开发，依托精准热场操控的自主PVT工艺，完结了更低本钱及更低缺点密度，产品进入小批量出产及送样阶段，后续公司将继续重视良率进步，加速设备调试与工艺优化，并继续推动湖南与重庆工厂量产进程。

  在碳化硅MOSFET方面，公司推出了650V-1700V宽电压规模的SiC MOSFET产品，具有高性能、高一致性和高可靠性等长处，并可依据客制化要求供给多种灵敏工艺计划。其间,1700V/1000mΩ MOSFET首要运用在光伏逆变器的辅佐电源，1200V/75mΩ MOSFET首要运用在于新能源轿车的OBC，两款产品均已处于客户端导入阶段，将逐渐批量供货；1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。

  在工业协作方面，湖南三安与意法半导体在重庆建立三安（重庆）有限公司，专门出产8英寸碳化硅晶圆，该项目前期相关批阅事项已成功获批，各项工作有序推动,估计2025年完结阶段性制作并投产,2028年完结达产。

  为保证合资公司原材料供给,三安还将使用自有的SiC衬底工艺，独自制作和运营一个新的8英寸SiC衬造厂, 以满意该合资厂的衬底需求。业界专家觉得,此举将大幅度的进步在碳化硅工业链的制作实力和归纳竞争力，并将有力保证咱们国家新能源轿车工业链供给链安全。