从行业趋势看，SiC上车是大势所趋。尽管特斯拉曾在2023年3月的投资者大会上表示，将减少75%的SiC用量，一度引发SiC未来发展前途不明的猜测，但后续汽车市场和供应商都用实际行动表达了对SiC的支持。

　　碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性高等诸多优点，是具有广阔发展的潜在能力的第三代新型半导体材料。

　　第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被 称为宽禁带半导体材料。

　　此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。

　　业内周知，功率SiC IDM 仍是其主流商业模式，而6英寸是龙头厂商的主流SiC晶圆尺寸。在供不用求的刺激下，行业内已有多家公司基于这一成熟平台有多种产能扩张计划。

　　功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场顶级规模，晶体管又细分为IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大，用来处理较大功率、大电压的产品，IGBT属于功率器件的一类产品。

　　NexGen认为，将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场能够在一定程度上帮助汽车制造商提高续航能力、减轻重量并提高系统可靠性。

　　国内主要的碳化硅衬底供应商包括天岳先进、天科合达、烁科晶体、东尼电子和河北同光等。三安光电走IDM路线，覆盖衬底、外延、芯片、封装等环节。部分厂商还自研单晶炉设备及外延片等产品。

　　据了解，三安半导体与朗明纳斯均为三安光电集团的子公司，2013年，三安光电收购了朗明纳斯100%股权。

　　早期，二极管封装重点是为满足基本的功能性和稳定能力。SMB(DO-214AA ) 和 SMC(DO-214AB) 封装形式，作为行业的早期标准，为电子科技类产品提供了可靠和经济的解决方案。

　　基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。

　　逆变器是将直流电转换为交流电的电源电路。在应用设备中，为实现节能，对小型、轻量、高效的逆变器的需求持续不断的增加。为实现逆变器的高速运行，已经提出使用宽带隙半导体和结合n沟道和p沟道晶体管的互补功率逆变器。

　　MOSFET是一种MOS结构的场效应晶体管(FET)，具有高速、低导通电阻、高击穿电压的特点，很适合作为电机驱动的开关元件，高速开关大电流等已经完成。

　　导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制作而成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管）等，大多数都用在电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。

　　近年来，全球半导体分立器件行业市场规模呈现波动变化。依据数据显示，2021年全球半导体分立器件行业市场规模为303.37亿美元，同比增长27.4%，2022年进一步同比增长12.1%，为339.93亿美元。

　　根 据 Yole 数据，2021 年 SiC 市场占有率前五厂家均为欧美日企业，合计占 据 93%的市场占有率，其中意法半导体依靠与特斯拉的合作占据全球 40% 的市场份额。

　　近日，日本电子元器件领域的两家重要企业罗姆半导体和东芝，联合发布声明，计划进行一项巨额投资。

　　如今的芯片大多数都同时具有数字模块和模拟模块，因此芯片到底归属为哪类产品是没有绝对标准的，通常会根据芯片的核心功能来区分。在数模混合芯片的实际在做的工作中，数字IC与模拟IC工程师也是遵照各自的流程分别开展工作。

　　第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料，锗做的晶体管曾经也是流行的老大，但由于速度较慢、不耐热等缺点，在八十年代初就被硅基管给取代了，一直到现今，90％以上的芯片都是以硅为基底，晶圆也基本都是硅片（就是沙子）。

　　GeneSiC 在满足汽车行业需求的经验还包括开发快速充电站解决方案，这对 EV 的快速普及至关重要。以 SK Signet 最近设计的额定 350kW 快速充电桩为例，它可以将 277VAC 的市电变换为200~950VDC 精准控制的电压，适用于 400V 和 800V 电压平台的 EV。