第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，比较第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超越20%。

　　到达世界榜首队伍的水平。一起，第三代产品的开关损耗，比照第二代产品逐渐下降30%以上。

　　在可靠性方面，首款产品IV3Q12013T4Z不只依照AEC-Q101规范完成了三批次可靠性认证，取得车规级可靠性认证证书，并且经过了更严厉的Beyond-AECQ可靠性查核，包含动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，栅极负偏压下的HTRB等。

　　经过上述Beyond-AECQ和极限功能测验，充沛验证了第三代工艺渠道及产品在多种鸿沟工况下的稳定性和鲁棒性，为迎候商场检测做好了足够的预备。

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