工艺办法:对电池片照耀高强度激光，一起施加10V或以上的偏转电压，由此发生的数安培的部分电流会显着下降金属和半导体之间的触摸电阻。

　　处理时刻: 试验条件下每片硅片处理时刻1.6秒，能够很容易地下降至1秒以下。

　　在P-PERC电池上，别离运用规范浆料/LECO专用浆料，细栅宽度40um,主栅数量4道。

　　LECO批次的均匀开路电压高出6.9mV，而填充因子处于同一水平,略提高0.42%，短路电流添加0.08mA/cm2，全体看来，电池片转化功率提高0.38%。

　　进一步的表征阐明，爱好区1中银含量小于20%，能够验证 LECO诱导硅和银的彼此分散，构成部分亚微米巨细的点触摸。