跟着科技的继续不断的开展，碳化硅陶瓷在半导体范畴的运用需求量急剧增加，而高热导率是其运用于半导体制作设备元器材的要害目标，因此加强高导热碳化硅陶瓷的研讨至关重要。削减晶格氧含量、进步细密性、合理调控第二相在晶格中的散布办法是进步碳化硅陶瓷热导率的首要办法。

　　碳化硅作为一种重要的结构陶瓷资料，凭仗其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、反抗腐蚀才能等功能，不只运用于高温窑具、焚烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业范畴，还可作为防弹装甲资料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具资料及核燃料包壳资料。

　　碳化硅在半导体范畴的运用 研磨盘、夹具均是半导体工业中硅晶片出产的重要工艺配备。研磨盘若运用铸铁或碳钢资料，其惯例运用的寿命短、热线胀系数大，在加工硅晶片过程中，特别是高速研磨或抛光时，因为研磨盘的磨损和热变形，使硅晶片的平面度和平行度难以确保。

　　选用碳化硅陶瓷的研磨盘因为硬度高而磨损小，且热膨胀系数与硅晶片根本相同，因此能够高速研磨抛光。

　　别的，在硅晶片出产时，需求经过高温热处理，常运用碳化硅夹具运送，其耐热、无损，可在外表涂敷类金刚石（DLC）等涂层，可增强功能，缓解晶片损坏，一起避免污染分散。

　　此外，作为第三代宽带隙半导体资料的代表，碳化硅单晶资料具有禁带宽度大（约为Si的3倍）、热导率高（约为Si的3.3倍或GaAs的10倍）、电子饱满搬迁速率高（约为Si的2.5倍）和击穿电场高（约为Si的10倍或GaAs的5倍）等性质。SiC器材弥补了传统半导体资料器材在实践运用中的缺点，正渐渐的变成为功率半导体的干流。 高导热碳化硅陶瓷的需求量急剧增加 现在，我国有关高导热碳化硅陶瓷的研讨较少，且与世界水平比较尚存在比较大距离，往后的研讨方向包含：

　　1，加强碳化硅陶瓷粉体的制备工艺研讨，高纯、低氧碳化硅粉的制备是完成高热导率碳化硅陶瓷制备的根底；

　　3，加强高端烧结配备的研制，经过调控烧结工艺得到合理的显微结构是取得高热导率碳化硅陶瓷的必备条件。回来搜狐，检查更加多