CH消息，来自名古屋大学的初创企业U-MAP开发了一种打破常识的新型散热材料——纤维状氮化铝基板及垫片，基板用于功率半导体和激光器等的封装，垫片用于

  基于现阶段的综合性能慢慢的升高、整体尺寸越来越小的发展状况，电子芯片工作过程中所呈现出的热流密度同样大幅度的提高。对于电子器件而言，通常温度每升高10℃，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，提高器件散热能力至关重要。

  然而，提高器件散热能力离不开高导热的封装材料。陶瓷材料本身就具有热导率高、耐热性好、高绝缘、高强度、与芯片材料热匹配等性能，很适合作为电子器件散热材料。目前常用电子封装散热材料主要有氧化铝、碳化硅、氮化铝、氮化硅、氧化铍等。

  但氧化铝、碳化硅、氧化铍等材料作为导热材料性能一般，潜力不大。目前最受瞩目的散热材料当属氮化铝和氮化硅。氮化硅陶瓷性能较为全面，在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中，其抗弯强度高(大于800MPa)，耐磨性好，被称为综合机械性能最好的陶瓷材料。氮化铝陶瓷理论热导率可达320W/（m·K），其商用产品热导率一般为180W/（m·K）~260W/（m·K），但是其机械强度相比氮化硅陶瓷略逊一筹。

  对此，日本初创企业U-MAP将纤维状的AlN单晶体“Thermalnite”填充制成基板，在保持高导热率的情况下提高了机械强度。通过这种方法，使其“断裂韧性”达到5.5MPa·m1/2，是普通AlN基板的约两倍，与Si3N4接近，导热率达到200W/m·K以上。

  此外，将该纤维状氮化铝材料添加到普通的TIM（热界面材料） 垫片中可使其机械强度增加到接近原来2倍，因此可对垫片实现减薄，普通TIM垫片的厚度为0.5mm左右，而开发品的厚度只有0.2mm，这可在原有高导热特性基础上实现进一步的提高导热性。

  据悉，U-MAP将于2024年量产AlN基板，生产将由合作伙伴冈本硝子进行。TIM垫片的产品化也正不断推进，计划2023年内供货样品。据说最快2024年下半年实现量产。

  文章出处：【微信号：Filter_CN，微信公众号：滤波器】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

  ，适用于高振动应用场景，这主要得益于其较低的硬度，可满足各种垂直冲击和震动要求，以及能够减少在震动时芯片所受的应力。这款

  一款无需信号收发引脚的商业原型CPU芯片。这款芯片采用了一种名为Dualibus的无线通信技术，打破了传统芯片依赖

  在诸多领域，如电子、航空航天、汽车等行业中扮演着逐渐重要的角色。这些

  性能研究 /

  摘要：随着新能源汽车的加快速度进行发展，电池热管理成为确保电池性能和安全的重要的条件之一。本研究探讨了

  在新能源汽车电池热管理中的应用，并总结了其优势和应用场景。通过一系列分析发现

  的应用 /

  的磁电硬盘，将用于其下一代OceanStor Arctic存储系统，相比传统机械硬盘、磁带存储可大幅度的降低成本和功耗。

  磁电硬盘省电90％！功耗不到2000W 省电多达90％ /

  的制造新技术 /

  视频模型—Boximator /

  脱颖而出。在整个能源转换链中，宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽

  创新 /

  点击上方  “ 意法半导体中国” ， 关注我们 ‍‍‍‍‍‍‍‍ 在半导体行业，新的

  佳能官方发布 纳米压印(NIL)半导体制造设备 未来，或将替代ASML光刻机 成为更低成本的芯片制造设备! 要知道，半导体是目前全球经济的核心，在中国

  技术!半导体行业再放大招! /

  解析Arm Neoverse N2 PMU事件L2D_CACHE_WR

  【龙芯2K0300蜂鸟板试用】tinnu-试用报告-基于以太网的CAN数据中继模块