在资料科学的众多星空中，碳化硅（SiC）无疑是一颗灿烂的明星。作为无机半导体资料的杰出代表，碳化硅不只以其共同的物理和化学性质在磨料、耐火资料等范畴大放异彩，更在光电、电子等高技能范畴展现出无限潜力。但是，要想充沛的发挥碳化硅的这些优异功能，对其内部元素的准确剖析与操控显得很重要，特别是氧、氮、氢这三大元素。

  研讨标明，氧含量对碳化硅的等电点和分散性有明显影响：跟着氧含量添加，碳化硅微粉的等电点挨近石英，水中分散性提高，但过高氧含量则反之，且耐高温性下降，故生产中需严控氧含量。适量的氮元素能调理介电功能、增强其耐高温和抗氧化才能，一起，准确操控氮含量还能优化碳化硅的光电功能，如提高发光功率，从而拓宽其在光电子及光电导范畴的运用。

  惰性气体熔融法作为检测碳化硅中氧、氮、氢元素含量的干流技能。该办法运用惰性气体作为载气，在高温下促进试样中的方针元素转化为易于检测的气态化合物（CO2、N2、H2）,随后经过高灵敏度的非色散型红外检测器与热导检测器，完成对样品中氧、氮、氢含量的直接、准确丈量。这一技能的广泛运用，为碳化硅资料的质量操控与功能优化供给了强有力的技能上的支撑。但是，现在大部分氧氮氢剖析仪都是是用热导测氢/氮，意味着同一个样品单次只能测氢或许氮，个人会运用的宝英光电科技的ONH-316锐风氧氮氢剖析仪运用红外测氢技能，能完成氧氮氢联测，到达一次剖析一起得到三种元素含量的意图。

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