日前，在科友第三代半導體產學研集合區緊張投產過程中，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司(簡稱科友半導體)試驗線再傳捷報，科友半導體通過自主設計制作的電阻長晶爐產出直徑超過8吋的碳化硅單晶，晶體外表非常润滑無缺点，最大直徑超過204毫米。這是科友半導體於本年10月在6吋碳化硅晶體厚度上實現40毫米打破後，在碳化硅晶體生長尺度和襯底尺度上获得的又一次極具歷史意義的重大打破。

  據悉，科友半導體從實現6吋碳化硅晶體穩定生長開始，就著手布局8吋碳化硅晶體研發，並得到了省、市和哈爾濱新區政府、科技等部門的關注和支撑。在歷經數年的研發實驗、成功制備出8吋碳化硅電阻長晶爐後，著力解決了大尺度長晶過程中的溫場散布不均勻以及氣相质料碳硅比和輸運功率等問題，同時專項攻關解決應力大導致的晶體開裂問題。經過多年無數次的探究、模擬、實驗、重復、改進後，凭借科友半導體自主研發的熱場穩定性高、工藝重復性好的電阻長晶爐，研發團隊終於把握了8吋碳化硅晶體生長室內溫場散布和高溫氣相輸運功率等關鍵技術，獲得了品質優良的8吋碳化硅單晶，為實現下一步的8吋碳化硅晶體產業化量產打下堅實的基礎。

  在碳化硅產業鏈本钱中，襯底的佔比約為47%，是最『貴』的環節，同時，也是整個產業鏈中技術壁壘最高的環節。现在，碳化硅在新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天、5G通訊等領域都有廣泛應用。在當前和今後的產業發展和產業代替中，碳化硅襯底的核心作用無可代替，其间，最關鍵的制約要素在於降造本钱和產業規模化供給。為了下降單個器材的本钱，擴大碳化硅襯底尺度，在單個襯底上添加器材的數量是削减相关本钱的首要途徑。8吋碳化硅襯底將比6吋在本钱下降上具有明顯優勢。

  在采訪中記者了解到，國際上8吋碳化硅單晶襯底研制成功已有報道，但迄今没有有產品投进市場。8吋碳化硅長晶工藝的打破，意味著科友半導體在單晶制備技術水平上達到了一個新的高度，是科友半導體在寬禁帶半導體領域获得的又一個重要裡程碑，也將有助於增強我國在大尺度碳化硅單晶襯底的國際競爭力，助力我國寬禁帶半導體產業的快速發展。隨著科友半導體電阻爐的規模化應用和碳化硅襯底的產業化推進，生產出質量更高、本钱更低的8吋碳化硅單晶襯底指日可下。