目前车规级IGBT功率模块主要是采用硅基材料制作，与硅基半导体材料相比， 以SiC为代表的第三代半导体材料具备高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率等特点，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。基于SiC材料优良的特性，与硅基MOSFET/IGBT相比，相同规格SiC MOSFET在损耗、体积等指标上具有一定优势。

  尽管SiC产品在新能源汽车领域的应用前景被业界广泛看好，目前最大的发展瓶颈主要在于SiC MOSFET产品性价比较低。价格这一块，由于SiC衬底生产效率低，成本较硅晶片高出较多，再加上后期外延、芯片制造及器件封装的低成品率，导致SiC器件价格居高不下。

  产品性能方面，SiC MOSFET制造工艺中高质量、低界面态的栅界面调控技术还需加强，批量制造技术与成品率也需逐步提升。同时，SiC MOSFET真正落地的时间比较短，在车载领域的稳定性和寿命等指标还需要一些时间与实践验证。

  从功率半导体市场占有率来看，硅基产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC的应用尚未普及。根据Yole预测，SiC产品2024年在功率器件渗透率为9%，因此SiC解决方案的市场占有率短期内很难达到硅基半导体的水平，硅基产品和SiC产品预计将在汽车领域长期共存。

  具有长续航能力的中高端车型将率先导入。目前，新能源汽车企业普遍靠提高电池容量来增加续航里程。SiC MOSFET相比硅基IGBT损耗更低、功率转换效率更加高，可在电池容量不变的前提下增加汽车续航能力。因此，综合考虑技术及成本因素，SiC MOSFET将在具有长续航能力的中高端新能源车型中率先导入。

  国产化趋势加速。SiC MOSFET作为未来车规级功率模块的发展趋势，其国产化需求强烈，包括斯达半导、中车时代、积塔半导体、中芯集成、芯聚能等国内功率厂商纷纷布局SiC产品， 国产化趋势加速。