碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体资料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱满漂移速度高级许多特色，被大范围的使用于制造高温、高频及大功率电子器材。此外，因为SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器材的抱负衬底资料。为下降器材本钱，下流工业对SiC单晶衬底提出了大尺度的要求，现在世界市场上已有6英寸（150毫米）产品，估计市场占有率将逐年增大。

　　中国科学院物理研讨所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进资料与结构剖析实验室陈小龙研讨组（A02组，功用晶体研讨与使用中心）长时间从事SiC单晶成长研讨作业，团队人员经过自主立异和探究，获得了SiC单晶成长设备、晶体成长和加工技能等一整套自主知识产权。研制成功的2英寸SiC单晶衬底在国内首先完成了工业化，并相继研制成功3英寸、4英寸SiC单晶衬底，完成了批量制备和出售。2014年11月，团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司协作，成功处理了6英寸扩径技能和晶片加工技能，成功研制出了6英寸SiC单晶衬底。拉曼光谱测验标明成长出的SiC晶体为4H晶型，(0004)晶面的X射线衍射摇晃曲线弧秒，标明晶体结晶质量很好。这一效果标志着物理所的SiC单晶成长研制作业已达到世界领先水平。6英寸SiC单晶衬底的研制成功，为高性能SiC基电子器材的国产化供给了资料根底。

　　相关研讨得到科技部、国家自然科学基金委、协同立异中心、中国科学院、北京市科委、新疆生产建设兵团科技局等有关部门的支撑。