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  • 【48812】新式碳化硅沟槽器材技能讨论研讨进展
来源:米乐体育m6官网下载    发布时间:2024-06-29 12:09:58
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  高功率范畴等优势,商场宽广,使用场景广泛。也被认为是下一代800V电动汽车电驱中心技能。

  近来,第九届世界第三代(IFWS)&第二十届我国世界半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦门世界会议中心举行。期间,“碳化功率器材及其封装技能分会“上,湖北九峰山试验室功率器材负责人袁俊做了“新式碳化硅沟槽器材技能讨论研讨进展”的主题陈述,共享了JFS多级沟槽二极管研讨,JFS新式沟槽MOSFET等内容。

  陈述指出,九峰山试验室聚集碳化硅要点共性问题的研讨,比方碳化硅器材的低损害,深P+掩蔽结构的结构问题;高温Al离子注入工艺在生产中的产能瓶颈问题;下一代碳化硅沟槽器材结构IP的探究及可制作性问题。九峰山在碳化硅芯片前沿技能讨论研讨和 IP 储藏方面,从多级沟槽JBS二极管技能动身,延申到各种新的SiC 器材技能结构,包含沟槽MOSFET和超结器材;和工业公司及Fab探究推行新的处理方案,可制作性技能。

  JFS多级沟槽二极管研讨方面,触及碳化硅多级沟槽JBS/MPS二极管技能开发,初次完成了“多级沟槽+低能量 P 注入”结构超2um结深;开宣告业界第一颗产等第的多级沟槽JBS二极管;处理了SiC沟槽器材中深 P 型掩蔽结构时,刻蚀视点/深度/离子注入能量剂量与注入损害之间的对立。碳化硅多级沟槽JBS/MPS二极管开发效果上,JFS特有的“多级沟槽二极管”,多批次良率>

  94%,高温封装作业>

  225℃;构成了系列IP储藏20+专利(包含规划和工艺know-how);高温作业上的才能;更小芯片面积增加~30%单片芯粒产出;抗单粒子才能(试验研讨中)。

  沟槽结构IP及成套工艺是碳化硅下一代全球工业技能竞赛的要害,新式沟槽MOSFET 研讨方面,陈述共享了新式沟槽MOSFET新结构探究,包含“胶囊沟槽”、“包角沟槽”、“辅佐源极沟槽”、“多级沟槽超结”等研讨进展。研讨效果显现,周期性深掩蔽沟槽MOSFET开发DEMO-1,霸占了碳化硅沟槽MOSFET器材研制的多项要害工艺,构成沟槽MOS的SPB;开发成套工艺,国内第一家发布具有SiC沟槽才能的6英寸Fab工艺线。“胶囊”沟槽MOSFET开发DEMO-2,探究根据新式NPN“三明治”外延片夹层的碳化硅沟槽MOSFET器材结构;优化参数,提高器材功能,下降芯片本钱,开发新式器材技能。

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