日本富士电机将在2024～2026年度的3年内向半导体领域投资100亿元，用于日本国内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线，提高产能。

  据日经新闻消息，日本富士电机将在2024～2026年度的3年内向半导体领域投资2000亿日元（折合人民币约100亿元）规模，重点将放在用于纯电动汽车(EV)电力控制等的功率半导体上，计划在日本国内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线，提高产能。

  碳化硅（SiC）是一种性能优异的半导体材料，与传统的硅材料相比，具有更高的硬度和耐久性，可承受更高的电压和更大的电流。随着电动汽车市场的迅猛增长，对功率半导体的需求也在逐步扩大。因此，富士电机选择投资这一领域，以抓住逐步扩大的市场需求。在截至2023年度的为期5年的现有中期经营计划中，富士电机一直以每年400亿日元的速度在半导体领域展开投资。从2024年度开始的3年新中期经营计划将改为每年700亿日元，加速投资。

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