是一种特别的材料，其导电性介于导体（如铜线）和绝缘体（陶瓷状玻璃）之间。半导体的电导率能够最终靠添加某些额外的元素（称为杂质）来改变。

  硅（Si）是电子科技类产品中常用的纯半导体的一个例子。锗（Ge）是另一种纯半导体，用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成，包括砷化镓 （GaAs）、氮化镓（GaN）、硅锗 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我们稍后将回到最后一项。

  您每天遇到的几乎所有电子科技类产品都包含半导体。从智能手机或平板电脑到更高功率的应用，如服务器场和太阳能电池阵列，它们无处不在。

  更具体地说，半导体是构成电子系统的组件的关键部分，包括IC集成电路二极管晶体管MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），仅举几例。这些系统是构成电子系统的众多构建模块之一，半导体的存在使这一切成为可能。

  硅可能是当今世界上最受喜爱的半导体，但这并不代表它始终是电子科技类产品的最佳选择。其主要竞争对手之一碳化硅在电力电子领域处于领先地位。

  电力电子设备几乎用于任何类型的依赖电源的设计，无论是将直流太阳能转换为家庭的交流电源，还是帮助调节混合动力电动汽车中的电池的电量。电力电子设备还可以与您在家中许多设备中使用的电源转换器一起发挥作用。

  电力电子学的一个主要元素是它所包含的半导体的带隙或能隙。当半导体具有较高的带隙时，使用它的电子设备能更小，并且运行得更快，更可靠。与其他半导体相比，它还可以在更高的温度、更高的电压和更高的频率下工作——碳化硅就是这样的一种情况。虽然硅的带隙约为1.12，但碳化硅为3.26。

  电力电子设备（尤其是MOSFET）一定要能处理极高的电压，称为临界击穿强度。碳化硅的击穿强度明显高于硅，这在某种程度上预示着它可以以更小的尺寸处理更高的电压，并支持更高的MOSFET阻断电压。

  导热性（与半导体摆脱其产生的热量的速度有关）是另一个重要特性。如果半导体不能有效地散热，这将严重限制半导体元件能处理的工作电压和温度范围。这是碳化硅优于硅的另一个领域：碳化硅的导热系数为1490 W / m-K，而硅的导热系数为150 W / m-K。

  半导体具有在导体和绝缘体之间具有导电性的独特性质。正是这种特性使晶体管、二极管和MOSFET等器件成为可能——从这一些器件中诞生了我们每天依赖的电子系统。虽然目前有几种不同的半导体在使用，但与其他常用材料相比，碳化硅提供了独特的解决方案和关键性能优势。

  材料的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种

  好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，

  已成为国际上公认的将引领电力电子，特别是大功率电力电子下一个50年的最佳电

  器件的最佳材料，随着科学技术的日新月异以及新能源的加快速度进行发展，它被普遍的使用于所有的领域，整个市场对它的需求也与日俱增。 据市场研究单位Yole

  （SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实

  器件 /

  器件供应商致瞻科技有限公司获得Pre-A轮融资。11月20日，毅达资本在官方微信宣布，已完成对致瞻科技的投资。依托核心团队10余年的

  (SiC)已成为处理新型宽带隙时最重要的资源，这要归功于其具有更低损耗和更高开关速度的特性。

  材料的使用直到1990年代才开始真正获得关注。正是在这一点上，它首次用于肖特基二极管、场效应管和MOSFET。虽然SiC具有使其在处理高频、高功率和高温负载方面具有独特的优势，但其采用速度很慢，主要是因为生产中的问题。

  是一种结构稳定的碳和硅的化合物，它是由碳原子和硅原子组成的类似金刚石的结构。

  具有优异的电学性能，具有高热稳定性、高绝缘性、高耐磨性、高抗拉强度和高抗温度变化等特点。此外，它还具有低摩擦系数、低温度热膨胀系数和低比重等优点。

  晶圆制程中的应用 /

  随着全球特别是中国新能源汽车市场渗透率的快速提升，强劲的上车需求叠加巨大的产能缺口，

  究竟有什么魔力？ /

  材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物

  飞凌嵌入式ElfBoard ELF 1板卡-shell脚本编写之输入输出重定向