我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥及其重要的作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。

  毋容置疑，碳化硅是极具潜力和市场空间的第三代半导体材料，当下已成为半导体界的“超级顶流”。因此在半导体产业最热门的赛道之一，吸引了众多半导体大厂以及初创新锐力量参与其中。

  据报道，日本半导体厂商罗姆(ROHM)将在今年内于福冈县正式量产碳化硅(SiC)功率半导体，并借此产品开拓纯电动汽车及医疗等新市场。

  据悉，位于日本福冈县南部的罗姆阿波罗筑后工厂，是罗姆公司的碳化硅半导体主力基地，也是日本国内企业首次建设的碳化硅功率半导体专用新厂房。该计划到2025财年（截止到2026年3月）最高向碳化硅功率半导体投资2200亿日元，这个数额相对2021年时计划的增加了4倍。

  11月23日，希科半导体科技(苏州)有限公司（以下简称希科半导体）于苏州纳米科技城召开碳化硅(SiC)外延片投产新闻发布会。该项目年产能可达2万片。

  国内同业一直在国产设备和生产的基本工艺上积极研发以解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。有必要注意一下的是，此次希科半导体在SiC外延片工艺研发上取得的突破性进展就是采用纯国产设备和完全自主的先进工艺，实现了工艺设备、量测设备、关键原料的三位一体国产化,完全、干净、彻底的解决了国外产品的卡脖子问题。这一系列成果均为我国碳化硅行业的新纪录。

  安巢经开区半导体新材料研发生产基地一期项目选址于振兴路与云溪路交口，是为碳化硅纤维复合材料及其应用产品投资代建项目。

  该项目，一期总投资3亿元，其中固定资产投资约2亿元，规划占地22亩，总建筑面积2.8万平方米。建设2条碳化硅纤维复合材料生产线。一期项目达产后，可年产碳化硅陶瓷基复合材料及其构件产品10吨，可实现产值约10亿元，税收不少于3500万元。

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