的河北同光晶体有限公司技能团队自主研制的4英寸碳化硅晶片“出炉”，经判定已达国内领先水平，下一年五一前可达量产。

　　碳化硅半导体资料是继硅、砷化镓之后最为老练的第三代半导体资料之一。作为一种宽禁带半导体资料，碳化硅半导体不光击穿电场强度高、耐热性好，还具有载流子饱满漂移速度高、热导率高级特色，可拿来制作各种耐高温的高频、高效大功率器材，可应用于硅器材难以担任的场合。碳化硅单晶资料大范围的应用于电力电子器材、光电子器材等范畴，在宽带通讯、太阳能、轿车制作、半导体照明、智能电网等很多战略职业可以更好的下降50%以上的能量丢失，最高可以使配备体积减小75%以上。

　　据介绍，同光公司的碳化硅单晶项目完全为公司自主研制，现在已请求国内发明专利10个，实用新型专利19个，拟定企业规范1项，推出新产品1项。同光公司还与中科院半导体所一起组成“SiC单晶资料与应用研讨联合实验室”,一起作为主承当单位，承当国家863“大功率GaN电子器材用大尺度SiC衬备及外延技能讨论研讨”课题，公司的《直径2英寸高质量碳化硅晶片》项目荣获保定市科学技能进步奖。

　　经判定，同光公司已量产的2英寸SiC单晶片已具有国际领先水平，4英寸碳化硅晶片已达国内领先水平。碳化硅单晶项目一期规划总投资3亿元，合计可构成50台成长炉的生产规模，主产4英寸晶片，估计年产能为50000片。以每片价格1000美元来核算，则年销售额可达5000万美元，折合人民币约3亿元，可完成利税约1.5亿元。