当氧反响中的温度到达1300°C时，碳化硅晶体表面会构成二氧化硅保护层。跟着保护层的增厚，碳化硅内部的抵抗力不断结合，使碳化硅具有十分杰出的抗化学功能。在耐酸、耐碱、复合方面，碳化硅因为二氧化硅保护膜的功效，耐酸性强，但耐碱性差。

  各种碳化硅晶体的密度类似，一般为3.20 g/mm。碳化硅的硬度为9.5莫氏，努氏的硬度为2670-2815kg/mm，在磨料中高于刚玉，仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。碳化硅陶瓷的导热性和抗热震性十分高，热膨胀参数小，因而SiC陶瓷是一种优质的耐火材料。

  恒温工业碳化硅陶瓷是一种半导体，归于杂质导电性。高纯碳化硅的内阻随温度的升高而下降。不同杂质的碳化硅的电导率也不同。

  众所周知，SiC是一种具有强共价键的化合物。依据鲍林对电负性的核算，SiC中Si-C键的离子性质仅为12%左右。因而，SiC硬度高，弹性模量大，耐磨性好。值得指出的是，当SiC被氧化时，标明发生的二氧化硅层会按捺氧气的进一步分散，因而其氧化速率较低。回来搜狐，检查更加多