日本中心硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体顶级资料「碳化硅（SiC）」基板的新制作技能。artience（原日本东瀛油墨SC控股）也在新式接合资料的实用化方面看到了端倪。碳化硅半导体可进步纯电动汽车（EV）的充电速度。而两家企业的技能均有助于下降碳化硅半导体的价格。日本具有优势的资料技能将推进EV的遍及。

  中心硝子开发出了运用含有硅和碳的溶液来制作碳化硅基板的技能。与运用高温下进步的碳化硅使单晶成长的传统技能比较，更简单增大基板尺度以及进步质量。这可使基板的制作本钱下降1成以上，不合格率也会大幅下降。

  运用两种元素混合而成的溶液，很难制作出均匀的晶体，此前一向未完成实用化。中心硝子运用根据核算机的核算化学，经过计算溶液的动态等，成功量产出了6英吋口径基板。

  据称，为了让客户选用以新技能制作的碳化硅基板，该公司已开端与欧美的大型半导体企业等展开讨论。最早将于2024年夏天开端向客户供给样品，2027～2028年完成商业化。将在日本国内的工厂施行数十亿日元规划的出资，方针是到达10％以上的比例。该公司方案最早于2030年把尺度扩展到8英吋。基板越大，用1块基板制作出来的半导体就越多，出产功率也越高。

  功率半导体被装置于充电器、小型家电、用来衔接EV马达和电池的操控设备上，用于功率操控等。碳化硅产品能施加比现在干流的硅产品（现在的干流）强约10倍的电压。据称，以用在EV的快速充电器上为例，与运用硅基板时比较，可使充电时刻由90分钟缩短到20分钟。

  另一方面，运用碳化硅的功率半导体比硅产品的价格高出数倍。制作本钱正在成为碳化硅功率半导体遍及的绊脚石。为此，各资料企业正在赶紧开发有助于削减相关本钱的技能。

  artience新开发出了用于接合晶片和铜等基板的「奈米烧结银接合资料」。在用于碳化硅基板的接合资料方面，尽管业界正在考虑运用以耐高温的银为主要成分的资料，但需求一个施加压力的工序来进步接合性。半导体厂商需求引入每台价格高达1亿日元左右的设备，为此，有许多企业不愿意选用银接合资料。

  artience开发的接合资料具有无需加压也能进步接合性的特色。运用了该公司在颜料范畴培养的可操控粒子巨细的技能和可使银均匀散开的技能。

  因为不需求加压，因而可使接合工序的出产设备初始出资下降到本来的六分之一。经过节约加压所需求的时刻，还能使接合时的出产功率进步到4倍。

  现在已有半导体厂商进行采购，方案最早于2026年完成1吨的年产量，到2030年增产至3吨。假如只用于功率半导体的接合，1吨相当于约300万辆EV的用量。将转用现有油墨工厂的出产设备。

  可进步功率转化功率的碳化硅功率半导体，除了EV用处之外，也渐渐变得多地应用于需求因人工智能（AI）的开展而敏捷扩展的数据中心。据日本富士经济（东京都中心区）猜测，到2035年，碳化硅功率半导体市场规划将扩展至2023年的8倍，到达3万1510亿日元。跟着制作本钱下降，碳化硅功率半导体的遍及速度可能会加速。

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